Electro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay| অংশ সংখ্যা | SI5906DU-T1-GE3 | উত্পাদক | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| বিবরণ | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET | লিড ফ্রী স্থিতি / RoHS স্থিতি | লিড ফ্রি / RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
| পরিমান সরবরাহযোগ্য | 4774 pcs stock | তথ্য তালিকা | SI5906DU-T1-GE3.pdf |
| Vgs (ত) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 2.2V @ 250µA | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | PowerPAK® ChipFet Dual |
| ক্রম | TrenchFET® | আরডিএস অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিএসএস | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
| শক্তি - সর্বোচ্চ | 10.4W | প্যাকেজিং | Tape & Reel (TR) |
| প্যাকেজ / কেস | PowerPAK® ChipFET™ Dual | অন্য নামগুলো | SI5906DU-T1-GE3-ND SI5906DU-T1-GE3TR SI5906DUT1GE3 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) | মাউন্ট টাইপ | Surface Mount |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | 1 (Unlimited) | লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS অবস্থা | Lead free / RoHS Compliant |
| ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স (সিস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস | 300pF @ 15V | গেট চার্জ (QG) (সর্বোচ্চ) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
| FET প্রকার | 2 N-Channel (Dual) | FET বৈশিষ্ট্য | Logic Level Gate |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 30V | বিস্তারিত বিবরণ | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস | 6A | ||
| ফেডেক্স | www.FedEx.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
|---|---|---|
| ডিএইচএল | www.DHL.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| ইউ। পি। এস | www.UPS.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
| টিএনটি | www.TNT.com | $ 35.00 থেকে বেসিক শিপিং ফি অঞ্চল এবং দেশের উপর নির্ভর করে। |
